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垂直电极结构GaN基发光二极管的研制 被引量：4

Vertical Electrode Structure GaN Based Light Emitting Diodes
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摘要 利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.
作者 康香宁 包魁 陈志忠 徐科 章蓓 于彤军 聂瑞娟 张国义
机构地区 北京大学物理学院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期482-485,共4页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金资助项目(批准号:60607003,60676032,60577030)
关键词 GAN LED 激光剥离 金属合金键合 垂直电极
分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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参考文献11

  • 1[1]Nakamura S.First Ⅲ-Ⅴ-nitride-based violet laser diodes.J Cryst Growth,1997,170:11
  • 2[2]Maxwell R.LED or lamp flasher:Minimum parts counting designed for 3V battery operation.http://www.ee.washington.edu/circuit_archive/circuits
  • 3[3]Chen C H,Chang S J,Su Y K,et al.Nitride-based cascade near white light-emitting diodes.IEEE Photonics Technol Lett,2002,14(7):908
  • 4[4]Cao X A,Stokes E B,Sandvik P.Optimization of current spreading metal layer for GaN/InGaN based light emitting diodes.Solid-State Electron,2002,46:1253.
  • 5[5]Tamura T,Sotomoto T,Taguchi T.Illumination characteristic of lighting array using 10 eandela-class white LEDs under AC,100V operation.J Lumin,2000,87～89:1180
  • 6[6]Kelly M K,Ambacher O,Dimitrov R,et al.Optical process for liftoff of group Ⅲ-nitride films.Phys Status Solidi A,1997,159:R3
  • 7[7]Wong W S,Sands T,Cheung N W.Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrates.Appl Phys Lett,1998,72:599
  • 8[8]Wong W S,Sands T,Cheung N W,et al.Fabrication of thinfilm InGaN light-emitting diode membranes by laser liftoff.Appl Phys Lett,2004,85:2757
  • 9[9]Wuu D S,Hsu S C,Huang S H.et al.GaN/mirror/Si light-emitting diodes for verticaI current injection by laser lift-off and wafer bonding techniques.Jpn J Appl Phys,2004,43(8)A:5239
  • 10[10]Horng R H,Lee C E,Hsu S C,et al.High-power GaN lightemitting diodes with patterned copper substrates by electroplating.Phys Status Solidi A,2004,201(12):2786

同被引文献45

  • 1张福林,林旭,廖欣,何志毅.InGaN蓝光LED量子效率与注入电流的关系研究[J].光电子．激光,2009,20(11):1442-1445. 被引量：11
  • 2黄翌敏,李向阳,龚海梅.AIGaN紫外探测器及其应用[J].红外与激光工程,2007,36(z1):209-213. 被引量：3
  • 3李炳乾.1 W级大功率白光LED发光效率研究[J].半导体光电,2005,26(4):314-316. 被引量：33
  • 4熊德赣,程辉,刘希从,赵恂,鲍小恒,杨盛良,堵永国.AlSiC电子封装材料及构件研究进展[J].材料导报,2006,20(3):111-115. 被引量：18
  • 5SONG J O,HA J S,SEONG T Y.Ohmic-contact technology for GaN-based light-emitting diodes:Role of P-type contact[J].IEEE Transactions on Electron Devices,2010,57(1):42-59.
  • 6NAKAMURA S,SENOH M,NAGAHAMA S,et al.Room-temperaturecontinuous-wave operation of InGaN multi-quantum-well structure laser-diodes[J].Appl Phys Lett,1996,69(26):4 056-4 058.
  • 7SHEN L,SHEN L,HEIKMAN S,et al.AlGaN/AlN/GaN high-power microwave HEMT[J].IEEE Electron Device Letters,2001,22(10):457-459.
  • 8CAI S J,LI R,CHEN Y L,et al.High performance AlGaN/GaN HEMT with improved ohmic contacts[J].Electron Lett,1998,34(24):2 354-2 356.
  • 9DUBOZ J Y,LAUEGT M,SCHENK D,et al.GaN for X-ray detection[J].Appl Phys Lett,2008,92(26):263501(1-3).
  • 10DUBOZ J Y,BEAUMONT B,REVERCHON J L,et al.Anomalous photoresponse of GaN X-ray Schottky detectors[J].J Appl Phys,2009,105(11):114512(1-7).

引证文献4

二级引证文献22

Journal of Semiconductors
2007年 第z1期

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