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Zn掺杂SnO2纳米线的制备与结构表征 被引量：3

Growth and Characterization of Zn Doped SnO2 Nanowires
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摘要 利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.对其制备参数进行了优化,获得了分布均匀、表面光滑的纳米线,其平均直径约为50nm,长度可达几十微米.并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等设备对其形貌、结构特征进行了表征.
作者 孟慧 王聪
机构地区 北京航空航天大学理学院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期267-270,共4页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金(批准号:50471004),新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0197)和北京大学工程院研究基金(批准号:204031)资助项目
关键词 SnO2纳米线 化学气相沉积 Zn掺杂
分类号 TN304.2+1 [电子电信—物理电子学]
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参考文献10

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引证文献3

二级引证文献12

Journal of Semiconductors
2007年 第z1期

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