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化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制
Growth Mode Control of Large Size ZnO Single Crystal Growth Through Chemical Vapor Transport
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摘要
借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体质量进行了研究分析,给出了晶体生长模式与生长温度、化学配比等条件的关系.并在此基础上实现了ZnO单晶的二维成核生长模式的控制,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.
作者
赵有文
董志远
魏学成
李晋闽
机构地区
中国科学院半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期300-305,共6页
半导体学报(英文版)
关键词
ZNO
化学气相传输
生长模式
二维成核
分类号
TN304.2+1 [电子电信—物理电子学]
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Zhao Youwen Dong Zhiyuan Wei Xuecheng Duan Manlong Li Jinmin.
Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method[J]
.Journal of Rare Earths,2006,24(z1):4-7.
被引量:7
二级参考文献
20
1
[18]Kuhnert R,Helbig R.Vibronic structure of the green photoluminescence due to copper impurities in ZnO[J].J.Lumin.,1981,26:203.
2
[19]Thonke K,Gruber Th,Teofilov N,et al.Donor-acceptor pair transitions in ZnO substrate material[J].Physica B,2001,308-310:945.
3
[20]Reynolds D C,Look D C,Jogai B.Fine structure on the green band in ZnO[J].J.Appl.Phys.,2001,89:6189.
4
[1]Look D C.Recent advances in ZnO materials and devices[J].Mater.Sci.Eng.,2001,B80:383.
5
[2]Look D C,Claflin B.P-type doping and devices based on ZnO[J].Phys.Stat.Sol.(b),2004,241:624.
6
[3]Look D C,Claflin B,Alivov Ya I,et al.The future of ZnO light emitters[J].Phys.Stat.Sol.(a),2004,201:2203.
7
[4]Coskun C,Look D C,Farlow G C,et al.Radiation hardness of ZnO at low temperatures[J].Semicond.Sci.Technol.,2004,19:752.
8
[5]Pearton S J,Norton D P,Ip K,et al.Recent progress in processing and properties of ZnO[J].Progress in Mater.Sci.,2005,50:293.
9
[6]Look D C,Reynolds D C,Sizelove J R,et al.Electrical properties of bulk ZnO[J].Solid State Commun.,1998,105:399.
10
[7]Nause J,Nemeth B.Pressurized melt growth of ZnO boules[J].Semicond.Sci.Technol.,2005,20:S45.
共引文献
6
1
魏学成,赵有文,董志远,李晋闽.
气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制[J]
.Journal of Semiconductors,2007,28(6):869-872.
被引量:2
2
韦新颖,祁康成,袁红梅,张良燕.
直流磁控溅射ZnO:Al薄膜过程中氧气浓度的研究[J]
.电子器件,2010,33(1):1-4.
被引量:6
3
张国宏,祁康成,权祥,文永亮.
磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究[J]
.电子器件,2011,34(1):33-35.
被引量:5
4
田力,陈姗,蒋马蹄,廉淑华,唐世洪.
衬底温度对Al_2O_3掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响[J]
.电子元件与材料,2011,30(10):23-26.
被引量:5
5
刘洋,马剑平,刘富丽,臧源,刘艳涛.
Physical vapor transport crystal growth of ZnO[J]
.Journal of Semiconductors,2014,35(3):11-15.
6
XIE Hui,LIU Tong,LIU JingMing,CAO Ke Wei,DONG ZhiYuan,YANG Jun,ZHAO YouWen.
Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO[J]
.Science China(Technological Sciences),2015,58(8):1333-1338.
被引量:1
1
赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽.
化学气相传输法生长ZnO单晶[J]
.Journal of Semiconductors,2006,27(2):336-339.
被引量:8
2
张璠,赵有文,董志远,张瑞,杨俊.
铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质[J]
.Journal of Semiconductors,2008,29(8):1540-1543.
被引量:1
3
陈益栋,刘兴权,陆卫,乔怡敏,王贤仁.
GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究[J]
.红外与毫米波学报,2000,19(1):67-70.
被引量:2
4
魏学成,赵有文,董志远,李晋闽.
气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制[J]
.Journal of Semiconductors,2007,28(6):869-872.
被引量:2
5
张瑞,张璠,赵有文,董志远,杨俊.
掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究[J]
.Journal of Semiconductors,2008,29(10):1988-1991.
被引量:1
6
柴少辉,赵恺.
锡须、电迁移对无铅钎焊可靠性影响的研究现状[J]
.大观周刊,2011(41):55-55.
7
杨冬竹.
无铅钎焊中锡须及电迁移对于焊接可靠性的影响研究现状[J]
.电子制作,2015,23(5X).
8
大尺寸低阻ZnO单晶衬底[J]
.中国科技信息,2015,0(23):2-2.
9
谢辉,赵有文,刘彤,董志远,杨俊,刘京明.
C-H complex defects and their influence in ZnO single crystal[J]
.Chinese Physics B,2015,24(10):507-509.
10
王继红,罗子江,周勋,郭祥,周清,刘珂,丁召.
RHEED衍射花样与晶体表面形貌的关联性研究[J]
.贵州大学学报(自然科学版),2013,30(2):73-76.
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Journal of Semiconductors
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