期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性 被引量：1

Electrical and Optical Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films Prepared for Solar Cell Absorber
下载PDF
导出
摘要 采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.
作者 邵乐喜 付玉军 张军 贺德衍
机构地区 湛江师范学院物理科学与技术学院 兰州大学物理科学与技术学院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期337-340,共4页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金资助项目(批准号:10574106)
关键词 Cu2ZnSnS4 真空蒸镀 硫化 太阳电池刎
分类号 TN304.2+1 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献9

  • 1[1]Ito K,Nakazawa T.Electrical and optical properties of stannite-type quaternary semiconductor thin film.Jpn J Appl Phys,1988,27:2094
  • 2[2]Tanaka T,Nagatomo T,Kawasaki D.Preparation of Cu2ZnSnS4 thin films by hybrid sputtering.J Phys Chem Solids,2005,6611978
  • 3[3]Katagiri H.Cu2ZnSnS4 thin film solar cells.Thin Solid Films,2005,480/481:426
  • 4[4]Nitsche R,Sargent D F,Wild P.Crystal growth of quaternary Cu2ZnSnS4 Chalcogenides by iodine vapor transport.J Cryst Growth,1967,1:52
  • 5[5]Schafer W,Nitsche R.Tetrahedral quaternary chalcogenides of the type Cu2-Ⅱ-Ⅳ-S4(Se4).Mate Res Bull,1974,9:645
  • 6[6]Friedlmeier Th M,Wieser N,Walter T,et al.Proceedings of the 14th European Conference of Photovoltaic Science and Engineering and Exhibition,Bedford,1997:1242
  • 7[7]Katagiri H,Jimbo K,Moriya K.Proceedings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion,Osaka,2003:2874
  • 8[8]Katagiri H,Ishigaki N,Ishida T.Characterization of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by vapor phase sulfurization.Jpn J Appl Phys,2001,40:500
  • 9[9]Nakayama N,Ito K.Sprayed films of stannite Cu2 ZnSnS4.Appl Surf Sci,1996,92:171

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献2

Journal of Semiconductors
2007年 第z1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部