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0.4～0.25μm时代的离子注入技术

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摘要 1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

作者松川

出处《电子与封装》 2002年第5期51-54,共4页 Electronics & Packaging

分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]

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电子与封装

2002年第5期

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