摘要
研究了基片摆动和基片自转的磁控溅射系统中基片摆动角振幅和基片自转角速度对磁控溅射膜厚均匀性的影响。在理论分析的基础上,进行了铜膜溅射实验,实验结果和理论分析符合,在摆动角振幅为π/3弧度,自转角速度为π弧度/秒的条件下,于4英寸硅基片上得到了±5.6%的膜厚均匀性。
研究了基片摆动和基片自转的磁控溅射系统中基片摆动角振幅和基片自转角速度对磁控溅射膜厚均匀性的影响。在理论分析的基础上,进行了铜膜溅射实验,实验结果和理论分析符合,在摆动角振幅为π/3弧度,自转角速度为π弧度/秒的条件下,于4英寸硅基片上得到了±5.6%的膜厚均匀性。
出处
《航空精密制造技术》
2010年第6期6-8,共3页
Aviation Precision Manufacturing Technology
