摘要
TN364.2 99021144砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析=As<sup>+</sup> implanted HgCdTe photodiodes and equivalentanalysis of the Ⅰ—Ⅴ characteristics[刊,中]/李向阳,陆慧庆,胡晓宁,方家熊（中科院上海技术物理所.上海（200083））//激光与红外.—1998,28（3）.—176-179通过对碲镉汞材料进行As<sup>+</sup>注入以及退火,成功地制备了P—on—N型光伏器件。器件的截止波长为5.5μm,黑体探测率D<sup>*</sup>（500K,1K,100）可达2.1×10<sup>10</sup>cmH<sub>2</sub><sup>1/2</sup>W<sup>-1</sup>。图6参10（李瑞琴）TN364.2 99021145结型光电二极管等效电参数的物理分析与测量=Physical analysis and measurement for the e-
出处
《中国光学》
EI
CAS
1999年第2期66-67,共2页
Chinese Optics
