Ⅲ族氮化物材料制备

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摘要 Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料。本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料。

作者李雪

机构地区中国科学院上海技术物理研究所

出处《红外》 CAS 2004年第7期24-27,共4页 Infrared

关键词半导体材料氮化镓材料晶格匹配金属有机化学汽相沉积卤化物汽相外延技术

参考文献12

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红外

2004年第7期

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