期刊文献+

Czochralski法生长Lu_2SiO_5:Ce晶体的发光特性(英文) 被引量:1

Luminescence Properties of Lu_2SiO_5:Ce Crystals Grown by Czochralski Method
下载PDF
导出
摘要 本文使用铱坩埚感应加热Czochralski法成功地生长出了无色透明且尺寸达5 0mm× 6 0mm的Lu2 SiO5:Ce晶体。XRD结构分析表明 ,该晶体为单斜结构。在室温下分别以X射线和紫外光为激发源测量了该晶体的发射光谱 ,获得的发射波长分别为 4 0 3nm和 4 2 0nm ,光衰减时间为 4 1ns,光产额达 32 0 0 0p/MeV。发射光谱的双峰结构以及晶体的发光特性证明其发光源于Ce3 + 离子的 5d1→5F5/ 2 和 5d1→5F7/ 2 跃迁。 Lu_2SiO_5:Ce crystals with dimension of 50mm×60mm were grown by Czochralski method from an inductively heated iridium crucible. The crystal structure was examined by XRD and confirmed to be monoclinic symmetry. Its optical transmission, UV-excited, X-ray excited emission and light yield were measured at room temperature. The results show that the emission spectra exhibit doublet structure peaking at 403nm and 420nm,which can be attributed to the transition of the Ce^(3+) ions at Lu site from the lowest 5d level to the two 4f ground states,5d′→~5F_(5/2) and 5d′→~5F_(7/2).The decay time tested under gamma ray excitation is 41ns.The best light yield is 32000P/MeV.
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期520-523,共4页 Journal of Synthetic Crystals
基金 theNationalNaturalScienceFoundationofChina (No .50 2 72 0 72 )
关键词 Czochralski法 Lu2SiO5:Ce晶体 晶体生长 发光特性 硅酸镥 LSO crystal growth luminescence properties
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献1

共引文献10

同被引文献40

引证文献1

二级引证文献17

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部