摘要
采用热化学气相沉积技术在单晶硅基底上制备出了定向性好、与基底结合牢固的碳纳米管阵列,研究了制备工艺对定向生长碳纳米管阵列薄膜的影响.研究发现:生长温度在750℃,催化剂厚度在10 nm左右易于形成定向生长的碳纳米管薄膜.在混合气中乙炔的浓度为27％(体积百分比)时,可以获得管型准直、管壁较厚、与基体结合牢固的碳纳米管阵列.另外,对于碳纳米管的定向生长机制及提高其与基体之间的结合力的方法进行了初步探讨.
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2004年第9期969-978,共10页
Science in China(Series E)
基金
国家自然科学基金(批准号:10275005)
北京市科学技术研究院萌芽计划资助项目
