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纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术 被引量：5

Several New Ion Beam Doping Technologies of Ultra-Shallow Junction for Nanometer CMOS Fabrication
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摘要 综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。 The plasma immersion ion implantation doping, the project-gas immersion laser doping,rapid vapor-phase doping and the ion shower doping are summarized. The strong and weak pointsand their application prospects of these new technologies are analysed and compared in details.
作者 成立 李春明 王振宇 祝俊
机构地区 江苏大学电气与信息工程学院 南通工学院计算机科学系
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期30-34,44,共6页 Semiconductor Technology
基金 江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
关键词 集成电路 纳米CMOS器件 超浅结离子掺杂 等离子体浸没掺杂 投射式气体浸入激光掺杂 离子淋浴掺杂 VLSI ULSI ion beam doping CMOS device nanoelectronic technology
分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献11

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共引文献40

同被引文献51

引证文献5

二级引证文献15

半导体技术
2004年 第9期

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