摘要
用光调制透射和电调制透射两种方法研究了In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱中激子的带间跃迁,对晶格匹配的(x=0.53)或有应力的(x=0.6)宽阱材料(L_x=250(?))和窄阱材料(L_x=50(?))等四类样品的跃迁能量和展宽参数做了系统研究,实验结果与用一个有限高的方势阱模型的计算结果符合甚好.根据展宽参数与量子数n的关系,还估算出材料界面的不平整度δ_t(?)6.2(?).当对样品施加直流反偏压时,除允许跃迁外,还观察到激子的禁戒跃迁及其随电场增加的“红移”现象(QCSE效应),最大红移为20meV,所对应的场强为45kV/cm.
出处
《华东船舶工业学院学报》
1993年第2期48-49,共2页
Journal of East China Shipbuilding Institute(Natural Science Edition)
关键词
容许跃迁
禁戒跃迁
激子
量子阱
allowable transition i forbidden transition
excitons
quantum wells
