期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

600V-IGBT3:典型静态特性和动态特性的详细分析

下载PDF

导出

摘要 IGBT技术经历了数个技术发展阶段，性能不断提高，如静态和动态损耗、坚固性、短路承受能力和电流密度等。目前eupec和Infineon推出最先进的IGBT是采用沟槽栅+场终止IGBT技术。

作者陈子颖

机构地区德国英飞凌中国公司

出处《电力电子》 2004年第4期i012-i013,共2页 Power Electronics

关键词 600V-IGBT3 静态特性动态特性双极性晶体管

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1陈子颖.600V-IGBT3：典型静态特性和动态特性的详细分析[J].变频器世界,2004(9):28-29.
2英飞凌创新电源管理产品亮相PClMAsia2011[J].中国集成电路,2011,20(7):2-3.
3用于焊机的超快速IGBT技术——适用于30kHz及以上的开关频率[J].电焊机,2008,38(9):132-132.
4权琳.论应用IGBT新技术的UPS电源[J].科技创新与应用,2013,3(8):23-24.
5张纯亚,何林,章治国.开关电源技术发展综述[J].微电子学,2016,46(2):255-260. 被引量：27
6刘慧娟,黄权.开关电源效率的优化设计[J].声屏世界,2015,0(S1):77-78. 被引量：1
7叶立剑,邹勉,杨小慧.IGBT技术发展综述[J].半导体技术,2008,33(11):937-940. 被引量：30
8赛米控推出SEMITOP高频率IGBT功率模块[J].变频器世界,2008(6):19-19.
9周志敏.IGBT技术现状及发展趋势[J].现代家电,2005(19):19-20.
10郑冬冬.IR推出第八代1200V IGBT技术平台[J].半导体信息,2012,0(6):22-22.

电力电子

2004年第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部