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浸没式光刻技术 被引量：3

Introduction of immersion photolithography
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摘要 综合叙述了浸没式光刻技术的基本工作原理和相对于157nm干式光刻技术的优势,简要介绍了当前的研发动态并对其具体实现的问题进行探讨。 A whole description about immersion photolithography and its advantages compared to 157 nm dry photolithography are given. The current R&D status is introduced and the problems that happened when performing this technology are discussed.
作者 吴龙海
机构地区 上海宏力半导体制造有限公司光刻工程部
出处 《微纳电子技术》 CAS 2004年第11期46-48,共3页 Micronanoelectronic Technology
关键词 光刻技术 综合 优势 具体 叙述 immersion photolithography 193 nm
分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献22

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共引文献9

同被引文献37

引证文献3

二级引证文献20

微纳电子技术
2004年 第11期

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