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基底材料和温度对CVD金刚石沉积的影响 被引量:2

Effect of Substrate Materials and Temperature on CVD Diamond Deposition
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摘要 使用热丝CVD装置在钢渗铬层、三氧化二铝、YG8硬质合盒基底上沉积了金刚石膜、结果表明,在700~900℃温度范围内,热稳定性好的基底材料有利于金刚石晶核的形成。硬质合金和三氧化二铝的热稳定性都比钢渗铬层好,在700~900℃能获得10^7cm^-2以上的形核密度,而钢渗铬层超过800℃后.形核密度低于10^6cm^-2。 Diamond films were deposited on steel T10 with chromizing layer, Al2O3, cobalt cemented tungsten carbide (YG8) insert using a heat-filament CVD apparatus. The results showed that the stable substrate materials at 700~900℃ are in favor of diamond nucleation. The nucleation density is more than 107cm-2 on Al2O3 and YG8 at 700~900℃, while less than 106 cm-2 on steel T10 with chromizing layer.
出处 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2004年第4期32-34,共3页 China Surface Engineering
基金 广东省自然科学基金资助项目(990548) 韶关学院重点科研资助项目(314-140366) 国家教委博士点基金资助项目(1999056121)。
关键词 化学气相沉积 金刚石 形核密度 chemical vapor deposition (CVD) diamond nucleation density
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