摘要
开展多晶—单晶复合结构中杂质分布研究对多晶发射双极型器件以及微细化的结 MOS 器件的研制具有重要的意义。为此,我们研究了高—低双能量/离子注入的多晶—晶复合样品在经红外瞬态退火后体内及介面的杂质分布情况。测试结果表明,合适的双注入以明显改善多晶中杂质的分布形貌使其中的杂质分布平坦、均匀掺杂;快速瞬态退火可以保在杂质充分激活的同时抑制杂质在单晶中的进一步扩展,有利于在单晶中形成近于突变N^+—P 浅结。该方法与单离子注入后炉管退火相比具有明显的优势。本研究对制造高速多发射双极型器件以及高速微细化多晶电极塞的 MOS 器件有重要的指导意义和实用价值。
出处
《微处理机》
1993年第2期62-64,共3页
Microprocessors
