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用低压化学气相沉积法形成钼膜 被引量:1

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摘要 一种用氢还原五氯化钼膜的低化学气相沉积仪被开发。这种仪器可以使每组25片晶片薄膜厚度的均匀性在±5%以内,并且钼膜不被氧化。研究者发现,与常压下相比,在低压时,可在一个较高的温度下,钼的沉积速率受表面反应的制约,并与表面反应部分氢气分压的3/2成正比。
出处 《中国钼业》 1993年第6期21-22,共2页 China Molybdenum Industry
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  • 1李汉广,彭志辉.氟化物CVD法直接制取特纯高致密异型钨制品[J].稀有金属材料与工程,1994,23(6):74-77. 被引量:13
  • 2李汉广.独联体国家的难熔金属氟化物化学气相沉积技术(上)[J].稀有金属与硬质合金,1994,22(4):59-62. 被引量:14
  • 3胡德昌,胡滨.航天航空用新材料──难熔金属及其合金[J].航天工艺,1996(3):34-40. 被引量:30
  • 4SudarshanTS 范玉殿 译.表面改性技术工程师指南[M].北京:清华大学出版社,1992..
  • 5Chang I S,Hon M H.Growth characteristics and electrical resistivity of chemical vapor deposited tungsten film.Thin Solid Films,1998,333:108~113.
  • 6Chang I S,Hon M H.Influence of deposition parameters on the texture of chemical vapor deposit tungsten films by a WF6/H2/Ar gas source.Journal of the Electrochemical Society,1998,145(9):3235~3240.
  • 7Wolf H,Streiter R,Schulz S E et al.Growth rate modeling for selective tungsten LPCVD.Applied surface Science,1995,91:332~338.
  • 8Gianfranco Di Giuseppel,J.Robert Selman Thin film deposition of Mo and Mo-compounds by PECVD from Mo(CO)6 and MoF6 as precursors:characterization of films and thermodynamic analysis.Journal of Electroanalytical Chemistry,2003,559:31~43.
  • 9Bjiorklund K l,Heszler P,Boman M.Laser assited growth of molybdenum rods.Applied Surface Science,2002,(186):179~183.
  • 10Nausikaa B H,Van Hoornick,Jan A B et al.Recovery of tungsten from the exhaust of a tungsten chemical vapor deposition.Journal of the Electrochemical Society,2000,147(6):4665~4670.

引证文献1

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