光刻质量与主要设备的关系
-
1贺开矿.表面活性剂在IC芯片光刻工艺中的应用[J].半导体技术,2005,30(3):24-26. 被引量：2
-
2简祺霞,王军,袁凯,蒋亚东.光刻工艺中关键流程参数分析[J].微处理机,2011,32(6):14-17. 被引量：12
-
3游树达.超大规模集成电路制造工艺中的光刻及掩模技术[J].微处理机,1996(1):67-69. 被引量：2
-
4戴小平,熊红云.IGCT器件的光刻技术[J].半导体技术,2007,32(6):470-473.
-
5于航.提高光刻胶陡直度的方法[J].长春师范学院学报（自然科学版）,2014,33(3):28-32.
-
6肖啸.后烘对驻波效应的影响分析[J].乐山师范学院学报,2004,19(12):20-22. 被引量：1
-
7胡进,董晓轩,浦东林,申溯,陈林森.基于闪耀光栅图形化实现高分辨率干涉光刻[J].光学精密工程,2015,23(12):3335-3342. 被引量：3
-
8王迪,刘涛,吴为民,洪先龙.具有交替型相移掩模技术的CAD系统[J].计算机集成制造系统-CIMS,2003,9(z1):209-212. 被引量：1
-
9王帆,王向朝,马明英,张冬青,施伟杰.基于双线空间像线宽不对称度的彗差测量技术[J].光学学报,2006,26(5):673-678. 被引量：4
-
10肖啸,杜惊雷,郭永康,杨静,谢世伟.减小光刻中驻波效应的新方法研究[J].微细加工技术,2002(4):36-39. 被引量：5
;
