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真空微电子器件发射体材料研究概况 被引量:5

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摘要 改善真空微电子器件发射体材料的性能,有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况,认为目前对金属薄膜材料、合金材料、金刚石薄膜、碳化物、硅化物等的场发射特性的研究工作,将产生一些性能优异的发射体材料。
机构地区 西北工业大学
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期1-4,共4页 Semiconductor Technology
基金 国家自然科学基金
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