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SiC器件基本制备工艺的原理与发展现状 被引量:6

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摘要 由于SiC材料的单晶生长、薄膜制备及相关器件工艺的长足进步,使SiC半导体器件的研制和生产出现了蓬勃发展的局面。本文主要介绍了近几年SiC材料的化学气相淀积、气相和离子注入掺杂、热生长SiO_2、活性离子腐蚀和形成欧姆接触的基本原理以及这些器件制备工艺的发展状况。
作者 宋登元
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期5-9,共5页 Semiconductor Technology
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