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聚乙烯咔唑超分子膜/p-Si体系的表面光电压谱研究 被引量:2

INVESTIGATIONS OF SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTRA OF POLY VINYLCARBAZOLE SUPERMOLECULE FILMS/p-Si
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摘要 利用LB技术,以二十碳酸作辅助成膜材料,在疏水处理的P-Si上分别制备了2、4、6、10和20层聚乙烯咔唑(PVK)超分子膜。对这种体系的表面光电压谱(SPS)研究结果表明,表面光电压随PVK膜层数的增加而增强,在紫外区增强较为明显。随着膜层数的增加,表面光电压有趋于饱和的趋势。膜对基底的敏化主要是由于PVK的光导电性引起的。 With arachidic acid used as auxiliary, 2, 4, 6, 10 and 20 layers polyvinylcarbazole(PVK ) supermolecule films were prepared on hydropsobic p-Si plates by means of LBtechnique. Investigations of surface photovoltage spectra (SPS) showed that the SPS intensity of PVK films/p-Si increased with the increase of layers. In ultraviolet region SPS increased significantly. With the increase of layers, SPS tended to a threshold. The Photoconductivity of PVK played a key role in photosensitization.
机构地区 河南大学物理系
出处 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期49-52,共4页 Spectroscopy and Spectral Analysis
关键词 超分子膜 表面光电压谱 聚乙烯咔唑 LB technique, Supermolecule films, Surface photovoltage spectra, Polyvinylcarbazole
  • 相关文献

参考文献3

  • 1陈义镛,功能高分子,1988年
  • 2赵壁英,表面化学物理,1984年
  • 3李福绵,功能高分子,1983年

同被引文献32

引证文献2

二级引证文献15

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