高纯难熔金属及其硅化物在微电子领域的应用

下载PDF

导出

摘要现代微电子装置使用了高纯难熔金属硅化作为接点，栅极，布线，阻挡层和集成电路的喷涂金属粉。这些材料良好的化学稳定性和热稳定性为厚度不到１μｍ的集成电路的设计铺平了道路。这些应用的重要的先决条件是制取碱金属，碱土笔过渡族元素的含量低于０．０５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｍ）的高纯难熔金属及其硅化物。铀和钍的残余浓度甚至降到０．０００５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｂ）以下。

作者何庆春

出处《钨钼材料》 1994年第2期45-49,共5页

关键词高纯难熔金属硅化物微电子应用

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1蒋德福.微电子装置的电磁干扰问题[J].供用电,1995,12(2):24-27. 被引量：2
2夏建弘.表面声波气体传感器[J].低温与特气,1988,6(2):67-72. 被引量：1
3周志敏.微电子装置接地网的设计与实践[J].自动化仪表,2001,22(12):59-60.
4崔红燕.通信网PPB计费策略[J].电脑与电信,2006(11):32-34.
5为什么不能使用ppm、pphm和ppb这类缩写?[J].安徽理工大学学报（自然科学版）,2008,28(4):11-11.
6王凤兰.如何克服钍钨灯丝电子管的阴极溅散[J].真空电子技术,2014,27(6):66-68.
7稀土掺杂碱土硫化物电致发光薄膜中的光诱导...[J].发光快报,1992,13(1):9-12.
8魏在福,程兆谷,王润文.朗谬尔探针法测量横流CO_2激光器的电子密度[J].中国激光,1990,17(9):530-533. 被引量：1
9冀雅华,林洪文,郑程遥.微电子装置防雷电感应误动作设计原理分析[J].广东水利电力职业技术学院学报,2003,1(3):15-16.
10彭沛元.印制板电镀的回顾与展望[J].印制电路信息,2001(7):40-40. 被引量：2

钨钼材料

1994年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

高纯难熔金属及其硅化物在微电子领域的应用

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史