摘要
报道Ｃｕｐｃ／ＩｎＰ异质结的整流（Ｊ－Ｖ）特性和电容电压（Ｃ－Ｖ）特性，并研究了界面态对ＣｕＰｃＬＢ膜Ｒａｍａｎ光谱的影响。
The characteristics of current density-voltage(J-V)and capacitance-voltage of CuPc/InP rectifying heterojunction energy barrier is measured,and that the effects of density of states at CuPc/InP interface on Raman scattering of CuPc LB film arestudied.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期809-815,共7页
Acta Physica Sinica
