摘要
利用扩展电阻探针（ＳＲＰ）和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究了直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ￣（＋）－Ｓｉ界面附近的深能级。实验结果表明，在直接键合的ｎ－Ｓｉ／ｎ￣（＋）－Ｓｉ界面ｎ－Ｓｉ一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３９ｅＶ）。Ｅ１可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的，其浓度在１０￣（１３）－１０￣（１４）ｃｍ￣（－３）之间。它可能是与制备键合材料的高温（１０００－１１００℃）处理过程中产生的空位和热应力有关。
he deep levels of n-Si/n￣(+)-Si interface and near the interface in the n-Si havebeen studies using spread resistance probe(SRP)and deep level transient spectrosco-py(DLTS)techniques in silicon direct bonding.The experimental results show thata dominant electron trap,having energy level position of E_c-0.39eV and concentra-tion in the range of 10￣(13)-10￣(14)cm￣(-3) was observed. This trap is strongly related tovacancies of n-Si/n￣(+)-Si interface and near the interface in the n-Si induced by hightemperature(1000-1100℃)treatment in SDB processing.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期785-789,共5页
Acta Physica Sinica
基金
国家自然科学基金
浙江省自然科学基金
