美光抢进Flash市场与三星、东芝构筑三足鼎立之势

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摘要日本经济新闻报导指出，美国存储器大厂美光奋起直追，将与三星、东芝争食闪存(Flash)市场大饼。美光预测，2005年该公司DRAM百万位需求年增长率约500％，在多功能手机的趋势下，SRAM已逐渐被低功率SDRAM与DDR所替换，就利润而言，SDRAM与DDR产品远比标准型DRAM要高，未来美光除了分散DRAM产能以外，还将以手机市场为中心，规划整体产品组合。

出处《电子测试（新电子）》 2005年第3期4-4,共1页 Micro-Electronics

关键词 FLASH 三星东芝 SDRAM 构筑 2005年多功能手机年增长率 SRAM 手机市场产品组合 DDR 存储器 500 低功率标准型

分类号 TN929.53 [电子电信—通信与信息系统] TP317.4 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]

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