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安森美推出8款新型低压沟道MOSFET

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摘要安森美半导体日前推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻(RDS（on）)，整体电源电路效率比其他同类封装的解决方案提高30％。

出处《电子测试（新电子）》 2005年第3期80-81,共2页 Micro-Electronics

关键词 MOSFET 低压推出 RDS(ON) 安森美半导体解决方案电源电路 P沟道 N沟道类封装效率比源极器件

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TM714.3 [电气工程—电力系统及自动化]

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电子测试（新电子）

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