摘要
本文用实验证实了化学反应计量比的HNO_3—HF腐蚀液可用作硅器件的深槽腐蚀,而在此腐蚀液中加入醋酸,用于硅器件的浅槽腐蚀比用HNO_3—HF—NH_4F体系的效果更好,并对醋酸在腐蚀液中的作用机理提出了新的见解。
This paper demonstrates experimentally the etching solution of HNO_3-HF in stoichiometry can be used in deep grooves etching of silicon devices. When add in acetic acid, the etching effects of this solution in shallow grooves etching is better, than the HNO_3-HF-NH_4F solution. New ideas on the reaction mechanism of acetic acid in this etching solution is put forward.
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1989年第5期35-38,46,共5页
Journal of Xi'an Jiaotong University
基金
国家自然科学基金
关键词
硅
硅器件
腐蚀液
醋酸
反应机理
silicon
etching
reaction mechanism
acetic acid
