摘要
研究了改性的PbTiO_3陶瓷(Pb_(0.9)Sm_(0.1))TiO_3的详细的物理和铁电性能,然后根据这种材料在IR传感器上的用途对结果进行了讨论。发现Sm改性的PbTiO_3,具有低的介电常数,高的热电系数以及合适的热和机械特性。其居里温度与未改性的PbTiO_3陶瓷相比,从470℃降到156℃。将根据测得的性能计算的品质因数与其它的PbTiO_3组成和LiTaO_3单晶作了比较。结果表明,Sm改性的PbTiO_3陶瓷是用于横向模式和热电/CCD阵列的合适材料。这种材料相对于其极化的内偏压场约为1.2kV/cm,以此可制出长期工作的探测器。
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1989年第4期43-48,共6页
Piezoelectrics & Acoustooptics
