提高硅CVD外延参数的新技术研究
摘要
分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期32-34,共3页
Semiconductor Technology
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