九十年代GaAs微电子的发展被引量：1

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摘要九十年代ＧａＡｓ微电子的发展电子工业部第十三研究所所长中国半导体行业协会理事长赵正平分立器件专业协会理事长当今世界新技术革命的核心是电子信息技术，电子信息技术的基础是微电子。因此，谁拥有微电子技术的优势，谁就掌握２１世纪的主动权。美国于１９９１年８月...

作者赵正平

机构地区中国半导体行业协会

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期11-16,共6页 Semiconductor Technology

关键词砷化镓微电子发展

同被引文献12

1陈仲谋,张博.基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器[J].电子元件与材料,2022,41(1):83-88. 被引量：4
2许春良,李明,王雨桐,魏洪涛.基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC[J].半导体技术,2022,47(3):237-242.
3丁海.一种新型滤波器耦合板的设计方法[J].通信电源技术,2022,39(17):39-42.
4焦凌彬,姚凤薇.基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计[J].电子元件与材料,2022,41(11):1202-1208. 被引量：1
5周昊,颜汇锃,施梦侨,程凯.毫米波CQFN外壳地孔设计与优化[J].电子技术应用,2023,49(2):111-114. 被引量：4
6樊元东,毛开礼,戴鑫,魏汝省,李天,李斌.6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶电阻率均匀性[J].电子工艺技术,2023,44(3):42-46. 被引量：1
7周宏健,蒋乐,李光超,周睿涛.10~18 GHz高精度单片数控移相器设计[J].电子设计工程,2024,32(9):61-65.
8黄鑫,蒋晓娜,孙科,张晓峰,李凌峰,张方远,余忠,邬传健,兰中文.Zr^(4+)-V^(5+)联合取代对高介电常数石榴石铁氧体性能的影响[J].磁性材料及器件,2024,55(4):1-6.

半导体技术

1995年第4期

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