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PECVD及溅射／蒸发生长二氧化锡薄膜的成形技术 被引量：1

Patterning Technique of Sno_2 Film Deposited by PECVD and Sputter/Evaporate
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摘要 针对二氧化锡薄膜常用的两种生长方法——等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）及溅射／蒸发生长的不同特点，分别采用了两种不同的剥离工艺方案，由此实现了与ＩＣ加工工艺兼容良好的ＳｎＯ＿２薄膜成形技术。 Two different lift-off processes are developed for two different deposite methods of SnO_2,PECVD and sputter/evaporate,Thus the compatibility of the conventional Ic fabricating with thw SnO_2 film pattrening is achieved.
作者 张沈军 李婉莹 姚达 陶星
机构地区 沈阳电子工业部第四十六研究所
出处 《电子器件》 CAS 1995年第3期180-183,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
关键词 二氧化锡 薄膜 PECVD 溅射 蒸发生长 成形技术
分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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同被引文献4

  • 1丁衡高.微系统与微米／纳米技术及其发展[J].微米／纳米科学与技术,2000,5(1):1-1.
  • 2BARKER N S, REBEIZ G M. Distributed MEMS truetime delay phase shifter and wide-band switches[J].IEEE Trans on MTT, 1998, 46(11):1-10.
  • 3CAMPBELL S A. The science and engineering of microelectronic fabrication (Second Edition )[M].2003.4:284-285.
  • 4WIDMANN D W. Metallization for integrated circuits using a lift-off technique[J].IEEE Journal of SolidState Circuits, 1976, 11 (4):466-471.

引证文献1

二级引证文献5

电子器件
1995年 第3期

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