摘要
采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响．
The electronic band Structures of strained strained GaAs layers grown on GexSi1-x alloys in (001) plane and strained superlattices(Si2)4/(GaAs)4 grown on Si substrates in (001)plane are calculated in tight-binding frame. The effects of strains on the electronic band structures are discussed.
出处
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期269-276,共8页
Journal of Fudan University：Natural Science
基金
国家自然科学基金
关键词
应变外延层
砷化镓
半导体
电子能带结构
硅
硒
strained epitaxial layers
strained superlattices
scaling indices
tight-binding method
Brillouin zone folding
