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SrTiO_3基半导体氧敏材料的研究 被引量:6

AN INVESTIGATION OF SEMICODUCTING OXYGEN SENSOR BASED ON SrTiO_3 DOPED WITH AL_2O_3
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摘要 研究在不同工艺条件和工作条件下Al掺杂SrTiO_3的氧敏性能。结果表明,Al掺杂SrTiO_3氧敏材料的电阻率与氧分压成指数关系,即,并且还对其氧敏机理作了探讨,提出了新的氧敏模型。根据受主杂质电离化程度理论和STEM分析结果,认为Al掺杂SrTiO_3氧敏材料是体控型气敏材料,其灵敏度主要取决于电离化受主杂质浓度。不同工艺条件和工作条件会改变电离化受主杂质浓度。 The oxygen sensing property of SrTiO_3 acceptor- doped with Al_2O_3 was investigated. Experi-mental results show that the resistivity of SrTiO_3 acceptor-doped with Al_2O_3 is a function of oxygen pressure,A new oxygen sensing model is proposed for explaining its oxygen:sensing mechanism.The degreeof ionization of the acceptor and STEM analysis results reveal that SrTiO_3 acceptordoped with Al_2O_3 is considered as a volumercontrolled gas sensor and its sensitivity is determined by its ionized acceptordoped concentraion.
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期156-163,共8页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 江苏省科委应用基础研究资助
关键词 钛酸锶 半导体 氧传感器 传感器 材料 strontium titanate ,semiconductors,oxygen sensor
  • 相关文献

参考文献2

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  • 2黄俊钦,新型传感器原理,1991年

同被引文献81

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引证文献6

二级引证文献8

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