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Crolles2联盟开发SRAM单元
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摘要
Crolles2联盟日前发表了一篇有关在正常制造条件下采用标准CMOS体效应技术和45纳米设计规则,制造面积小于0.25平方微米的六晶体管SRAM位单元论文,这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。
出处
《世界电子元器件》
2005年第7期12-12,共1页
Global Electronics China
关键词
SRAM单元
联盟
开发
设计规则
CMOS
解决方案
体效应
晶体管
尺寸比
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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0
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0
1
Crolles2联盟开发的超高密度SRAM单元:采用45纳米低功率普通CMOS体效应技术[J]
.电子与电脑,2005,5(7):145-145.
2
Crolles2联盟采用45nm CMOS体效应技术开发超高密度SRAM单元[J]
.今日电子,2005(7):90-90.
3
CEA与Crolles2联合开发45nm和32nm CMOS纳电子技术[J]
.今日电子,2004(6):36-36.
4
三巨头携手投入14亿美元 半导体行业向32纳米推进[J]
.电信科学,2003,19(4):51-51.
5
16:9液晶屏将大行其道[J]
.电子产品世界,2008,15(9):36-36.
6
Crolles2联盟选择安捷伦93000系列和4073参数测试仪[J]
.电子测量技术,2006,29(1):92-92.
7
AVS获信息产业部支持[J]
.当代通信,2006,13(1):41-41.
8
Crolles2联盟成员联合开发先进的CMOS晶圆检测和装配[J]
.今日电子,2005(3):41-41.
9
Crolles2联盟合作研发先进CMOS晶圆封装检测技术[J]
.电子测试(新电子),2005(3):6-6.
10
一江春水.
利用分节符解决大图打印难题[J]
.电脑迷,2009(7):74-74.
世界电子元器件
2005年 第7期
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