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液相自蚀生长CuTCNQ微晶中的纳米通道

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摘要 自1979年Potember与其合作者首次报道了铜的四氰基苯醌对二甲烷(7,7’,8,8'-tetracyanoquinodimethan,简称TCNQ)的电荷转移(CT)复合物有机薄膜具有电流控制的电学开关现象以来,陆续发现了过渡金属(Cu,Ag)TCNQ及其一系列衍生物有机薄膜的电学或光电阈值开关与存贮特性.这些具有极重要应用前景的特性缘于材料中发生的部分场致相变.由这些部分相变形成了所谓的高电导畴或低阻通道.已有结果表明,促使形成这些通道的条件与测量用金属电极/有机薄膜的界面以及薄膜的微观形貌有着十分密切的关系.
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第22期2096-2099,共4页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金 军事电子预言基金资助项目
  • 相关文献

参考文献4

  • 1顾宁,Thin Solid Films,1994年,243卷,468页
  • 2Duan H,J Electrochem Soc,1993年,140卷,10期,2807页
  • 3韦钰,J Southeast Univ,1992年,22卷,3期,28页
  • 4Duan H,MRS ’91 Symosium Proceedings,1992年,247卷,557页

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