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用溶胶凝胶法制备PZT铁电体薄膜 被引量:3

Preparation of PZT Ferroelectric Thin Films by the Sol-Gel Process
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摘要 本文选择非极性溶剂AcAc在大气中保护金属酸盐制备钛锆酸铅(PZT)铁电体薄膜,当PZT<0.5mol/L时可生成稳定溶胶,PZT能均匀分散在溶剂中,在400℃除去残余有机物,然后在400~700℃使薄膜晶化生成钙钛矿结构为主的多晶薄膜.本文利用XRD、TEM、IR及热分析技术对PZT薄膜的形成及晶化等变化进行了分析和探讨. PZT ferroelectric films were prepared from corresponding metal alkoxide partially stabilized with acetylacetone through the sol-gel solution. The films were heat-treated at 400℃ for decomposition of residual organics and then at 500℃~700℃ for crystallization of the films. The formation and crystallization of PZT films were studied by using XRD, TEM, IR, TGA, DTA.
出处 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期113-116,共4页 Journal of Inorganic Materials
关键词 溶胶凝胶法 铁电体薄膜 钛锆酸铅 陶瓷 sol-gel process, PZT, films, alkoxide
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参考文献2

二级参考文献1

  • 1恽正中,刘履华.半导体及薄膜物理[M]国防工业出版社,1981.

共引文献2

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引证文献3

二级引证文献6

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