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低纯Gd制备Gd_(5)Si_(2)Ge_(2)的结构与磁热性能 被引量：6

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摘要 以低纯度普通商业纯Gd(99%)为原料制备Gd_5Si_2Ge_2合金,研究了低纯Gd_5Si_2Ge_2合金的相组成、磁相变特征和磁热性能.粉末X-射线衍射和磁性测量结果表明,经1200℃,1h退火处理后,低纯Gd_5Si_2Ge_2合金具有Gd_5Si_2Ge_2型主相、在268K存在一级磁晶相变.据磁相变温度附近的磁化曲线计算,低纯Gd_5Si_2Ge_2合金在5T磁场变化下的最大磁熵变为17.55J·Kg^(-1)·K^(-1),具有巨磁热效应.
作者 张铁邦 陈云贵 付浩 滕保华 唐永柏 涂铭旌
机构地区 四川大学材料科学与工程学院 Department of Physics
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第18期2043-2045,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号：2002AA324010)．
关键词 磁致冷材料 Gd5Si2Ge2 一级相变 磁热性能 Gd5Si2Ge2合金 原料制备 Gd5si2Ge2合金 结构 X-射线衍射 巨磁热效应
分类号 TG132.27 [一般工业技术—材料科学与工程]
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参考文献10

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共引文献4

同被引文献76

引证文献6

二级引证文献15

科学通报
2005年 第18期

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