多晶硅工艺在超高频晶体管中的应用

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摘要试验使用ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取代传统的泡发射极Ｔｉ－Ａｌ结构，用于超高频晶体管生产中，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性。

作者俞诚王文源

机构地区中国华晶电子集团公司

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期46-49,共4页 Semiconductor Technology

关键词多晶硅工艺发射极结构超高频晶体管

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半导体技术

1996年第1期

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