AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphires with f_(max) of 100GHz

f_(max)为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(英文)

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摘要 AIGaN/GaN high electron mobility transistors grown on sapphire substrates with a 0.3μm gate length and 100μm gate width are fabricated. The device reveals a drain current saturation density of 0.85A/mm at a gate voltage of 0V and a peak transconductance of 225mS/mm. The unity current gain cutoff frequency and maximum frequency of oscillation are obtained as 45 and 100GHz,respectively. The output power density and gain are 1.8W/mm and 9.5dB at 4GHz,and 1.12W/mm and 11.5dB at 8GHz. 制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0·3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0·85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振荡频率分别为45和100GHz;4GHz频率下输出功率密度和增益分别为1·8W/mm和9·5dB,8GHz频率下输出功率密度和增益分别为1·12W/mm和11·5dB.

作者李献杰曾庆明周州刘玉贵乔树允蔡道民赵永林蔡树军

机构地区河北半导体研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2049-2052,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030201) 国家自然科学基金(批准号:60136020)资助项目~~

关键词 AIGAN/GAN HEMT SAPPHIRE AlGaN/GaN HEMT 蓝宝石

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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