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VLSI失效分析技术研究进展

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摘要根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法。包括:先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法。通过一些失效分析实例说明了研究上述关键技术的有效性。

作者费庆宇

机构地区信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心

出处《电子产品可靠性与环境试验》 2005年第B12期60-64,共5页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关键词大规模集成电路失效分析样品制备技术

分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] TM621 [电气工程—电力系统及自动化]

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电子产品可靠性与环境试验

2005年第B12期

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