LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用

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摘要本文介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)制备多晶硅膜的淀积变量,影响膜层质量的因素。其次简述了多晶硅膜的等离子刻蚀情况及其在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(Ptsi-SBIRCCD)研制中的应用。

作者程开富

机构地区机械电子工业部第四十四研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期23-28,共6页 Semiconductor Technology

关键词多晶硅膜制备电荷耦合器件红外

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半导体技术

1990年第2期

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