摘要
本实验采用提拉法,在中频感应加热单晶炉内,进行了不同生长方向蓝宝石晶体的生长工作,分别取[11-20]和[0001]生长的晶体c面(0001)的晶片。通过应力仪、显微观测和X射线衍射等方式对晶片的位错密度等微观缺陷以及晶体结构进行了检测。实验表明:不同的生长方向生长得到的蓝宝石晶体的质量存在一定的差别,一般情况下,[11-20]方向生长的蓝宝石晶体质量优于[0001]方向生长的晶体。
A high quality sapphire with directions of[ 11-20 ] [ -axis]and [ 0001 ] [ c-axis ] was grown by CZ method. The dislocation density on the sliced c-plane （0001） for both growth directions was studied with X-ray diffraction. All tests indicate that the quality of as-grown crystal is better than that of c-grown crystal.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期431-434,共4页
Journal of Synthetic Crystals
关键词
提拉法
生长方向
位错密度
衍射
晶体结构
CZ method
growth direction
dislocation density
diffraction
crystal structure
