摘要
讨论了MOS管击穿的分类,以及击穿时场强分布情况,在此基础上,列举和分析了MOS 管击穿的发生区域,主要是结击穿和漏区击穿。文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述,并对 MOS管开启击穿进行了分析。
MOS transistor breakdown type and breakdown field profile are discussed in this paper At the same time the author provides some examples and analysis on MOS transistor breakdown, and wishes this paper could give readers some help.
出处
《电子与封装》
2006年第4期36-39,35,共5页
Electronics & Packaging
