摘要
SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度，Ge含量度其深度分布，Si过渡层和SiO2层厚度，并有较好的测量精度。
3.6MeV Li^＊ ＊ beam Rutherford Backscattering Spectrometry （RBS） was employed for analysis of SiGe/Si and SGOI It was shown that thickness of SiGe, Si buffer and SiO2 layers and Ge concentrations can be measured by this method.
出处
《中国材料科技与设备》
2006年第3期61-63,共3页
Chinese Materials Science Technology & Equipment
基金
国家自然科学基金资助项目（60276045）
