过热的中性束蚀刻

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摘要平均平动能量为４．８ｅＶ的过热氟原子的脉冲束已经用来证明硅的各向异性蚀刻。在１．４Ｈｚ工作下，距离脉冲束源为３０ｃｍ的地方已测得Ｓｉ的室温蚀刻率为３００Ａ／ｍｉｎ。在单碰撞条件下，对酚醛掩模的Ｓｉ器件的室温蚀刻已达到１４％。

作者 Giap.,KP 蒋永鹏

出处《国外核聚变与等离子体应用》 1996年第4期66-71,共6页

关键词中性束蚀刻半导体器件蚀刻基蚀

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国外核聚变与等离子体应用

1996年第4期

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