RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6) 被引量：1

Device Structure and Fabrication of RTD:Lecture of RTD(6)

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摘要介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。 Several device key structures of RTD were introduced. And the advantage, disadvantage and prospect of application for every device structure were given. The conventional fabrication processing and the key problems in the fabrication were introduced.

作者郭维廉

机构地区天津工业大学信息与通讯工程学院

出处《微纳电子技术》 CAS 2006年第8期366-371,392,共7页 Micronanoelectronic Technology

关键词器件结构制造工艺台面和平面结构混合集成空气桥共振隧穿器件 device structure fabrication mesa and planar structure hybrid integration air bridge RTD

分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]

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微纳电子技术

2006年第8期

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