摘要
分别考虑抛光垫基体和粗糙峰变形建立化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing/planarization,CMP)的一维两层接触模型和抛光液流动模型,分析了CMP中接触压力和流动的关系,利用数值方法模拟了抛光垫基体和粗糙峰变形情况,以及接触压力和流体压力的分布情况.分析表明在晶片入口区附近形成了发散间隙,从而抛光液流体出现负压,在晶片边缘形成了高应力集中导致的过度抛光,解释了CMP的这两个基本特征.
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第16期1961-1965,共5页
Chinese Science Bulletin
基金
国家自然科学基金重大项目(批准号:50390060)
北京交通大学“十五”项目(编号:2004SM041)资助.
