硅基异质结构的研究被引量：1

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摘要硅基异质结构的研究郑宜钧（中国华晶电子集团公司）１引言１．１硅基异质结构的研究随着微电子技术应用要求越来越高，Ｓｉ器件的物理、电学性能极限显露越明显。因此，非常有必要寻求一种新的材料来替代；或者在硅的基础上异质生长一种新的结构材料。研究表明：以Ｓｉ为...

作者郑宜钧

机构地区中国华晶电子集团公司

出处《电子科技导报》 1996年第9期17-19,33,共4页

关键词硅基异质结构硅器件微电子技术

同被引文献3

1Huang Wentao,Shen Guanhao,Li Xiyou,Chen Changchun,Zhang Wei,Liu Zhihong,Chen Peiyi,Tsien Peihsin.UHV/CVD Low-Temperature Si Epitaxy Used for SiGe HBT[J].Journal of Rare Earths,2004,22(z2):30-34.
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电子科技导报

1996年第9期

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