三星电子开出发1G存储器

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摘要韩国三星电子公司最近投产了将存储单元与逻辑电路集成在一个芯片上的闪存存储器One—NAND，容量为1G。芯片的最小线宽为70nm，数据读出速度为108M／s，比过去90nm的同类产品性能提高60％，生产效率提高70％。该存储器的目标是用于美国将在2007年推出的新操作系统Windows Vistar的计算机中。

出处《国外电子测量技术》 2006年第10期35-35,共1页 Foreign Electronic Measurement Technology

关键词韩国三星电子公司闪存存储器 WINDOWS NAND 电路集成存储单元数据读出产品性能

分类号 TN929.53 [电子电信—通信与信息系统]

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国外电子测量技术

2006年第10期

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