响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化

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摘要响应表面方法与ＴＣＡＤ相结合是一个极具潜力的有用技术，它可以极大地减少研制和优化ＩＣ工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与模拟相结合获得模型方程并用于工艺优化的方法和优点。Ｄ－优化的设计方法和其他措施结合改善模型拟合精度，得到的响应表面用于对亚微米埋沟道ＰＭＯＳ器件性能进行预测和优化。用响应表面得到优化的工艺条件。

作者甘学温 WALTONAJ

机构地区北京大学微电子学研究所爱丁堡大学电子工程系

出处《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期655-662,共8页 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis

关键词响应表面模型拟合集成电路 PMOS器件埋沟道

分类号 TN432.05 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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